TrendForce 的数据显示,目前 HBM 同传统 DDR5 内存的价差约为五倍,同时 HBM3e 内存 TSV 工艺的良率目前仅有 40~60%。展望 2025 年,HBM 内存的重心将转向 12 层堆叠和 HBM3e 品类,带动 HBM 芯片平均单堆栈容量的提升。2024 年 HBM 内存需求量已增长近 200%,明年有望再次翻倍。目前 HBM 买家仍对 AI 前景保持高度信心,愿意接受价格的进一步上涨;而在供应商方面,未来各厂商的 HBM 内存单价将受可靠性和供应能力影响,存在出现价差并影响获利的可能。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,所有文章均包含本声明。 5 月 6 日消息,市场分析机构 TrendForce 集邦咨询今日发布研报,表示 2025 年 HBM 内存市场将继续繁荣,产能和市场份额都将进一步提升。受限于整体 DRAM 产能有限,HBM 内存供应商初步调升了 5~10% 定价,覆盖 HBM2e、HBM3、HBM3e 品类。研报表示,供需双方今年二季度已开始就 2025 年的 HBM 订单进行初步价格谈判;另据此前报道,美光、SK 海力士今年的 HBM 产能已经售罄。
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